硅单晶锭的制造方法专利登记公告

专利名称：硅单晶锭的制造方法

摘要：本发明的目的是提供能够大幅抑制及基本上避免形成小孔的制造锭的方法。在CZ法的装填多晶硅的步骤中，不将小尺寸的多晶硅块S1用作装入的多晶硅块S。仅使用中等尺寸的多晶硅块S2和大尺寸的多晶硅块S3。此外，在装填多晶硅的步骤中，将多晶硅块S随机地装入坩埚中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110461265.8

专利申请（专利权）人：硅电子股份公司

专利发明（设计）人：加藤英生;村上英明

主权项：用于制造硅单晶锭的方法，其包括以下步骤：用多晶硅装填坩埚的装填步骤，使装填的多晶硅熔化以在坩埚中形成硅熔体的熔化步骤，及使种晶与硅熔体接触并提拉接触的种晶以使锭生长的提拉步骤，其中在装填步骤中，通过将多个多晶硅块随机地装入坩埚从而用多晶硅装填坩埚，所述多晶硅块是大尺寸的多晶硅块。

专利地区：德国