太阳能电池单元及其制造方法专利登记公告

专利名称：太阳能电池单元及其制造方法

摘要：本发明提供这样的太阳能电池单元及其制造方法：在制造时，不使高浓度扩散区域超过必要地扩大，即使在受光面栅电极的对准沿旋转方向偏移的情况下，也能够精度良好地将受光面栅电极对位于高浓度扩散区域上。本发明提供一种太阳能电池单元，包括：p型半导体基板；在所述半导体基板的受光面侧形成的n型扩散层；以及在所述n型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，在所述n型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，所述受光面栅

专利类型：发明专利

专利号：CN201110461588.7

专利申请（专利权）人：日本琵维吉咨询株式会社

专利发明（设计）人：合田晋二;鹿野康行;杉渕康一

主权项：一种太阳能电池单元，包括：p型半导体基板；在所述半导体基板的受光面侧形成的n型扩散层；以及在所述n型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，在所述n型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，所述受光面栅电极形成于所述高浓度扩散区域，邻接的所述高浓度扩散区域的中心间距离为1.5～3.0mm。

专利地区：日本