广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法专利登记公告

专利名称：广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法

摘要：一种广谱高吸收的太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙底部为沉积的银纳米颗粒；多个上表面接触栅电极，制作在尖锥结构的表面；一下电极，制作在p型或轻掺杂n型硅层的背面。本发明可以提高光吸收和光电转换效率。同时具有工艺简单，成本低等特点。同时还能利用工艺中起催化作用的银纳米颗粒来产生表面等离子波效应，一举两得。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210030204.0

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：刘孔;曲胜春;谭付瑞;唐爱伟;金兰;张君梦;徐文清

主权项：一种广谱高吸收太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙底部为沉积的银纳米颗粒；多个上表面接触栅电极，制作在尖锥结构的表面；一下电极，制作在p型或轻掺杂n型硅层的背面。

专利地区：北京