一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法

摘要：本发明公开了一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法，所述ITO蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：草酸3.2％～3.6％；正己酸0.1％～0.2％；水6.2％～96.6％。本发明提供的低张力ITO蚀刻液及其制备方法，通过在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110461719.1

专利申请（专利权）人：江阴江化微电子材料股份有限公司

专利发明（设计）人：殷福华;季文庆;朱龙;邵勇;栾成

主权项：一种低张力ITO蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：草酸??????3.2％～3.6％；正己酸????0.1％～0.2％；水????????96.2％～96.6％。

专利地区：江苏