半导体元件、HEMT元件以及半导体元件的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体元件、HEMT元件以及半导体元件的制造方法

摘要：本发明提供一种抑制反向漏电流并充分强化栅极和外延基板的肖特基接合的半导体元件。该半导体元件具备：外延基板，在衬底上以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1、z1＞0)；组成的第一III族氮化物构成，势垒层，其由具有Inx2Aly2N(x2+y2＝1、x2＞0、y2＞0)的组成的第二III族氮化物构成；接触层，其由具有绝缘性的第三III族氮化物构成且与势垒层相邻。肖特基电极接合在接

专利类型：发明专利

专利号：CN201180003806.0

专利申请（专利权）人：日本碍子株式会社

专利发明（设计）人：三好实人;角谷茂明;市村干也;杉山智彦;田中光浩

主权项：一种半导体元件，其具备：外延基板，在衬底上以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极，其特征在于，所述外延基板具备：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N组成的第一III族氮化物构成，其中x1+y1+z1＝1、z1＞0；势垒层，其由具有Inx2Aly2N的组成的第二III族氮化物构成，其中x2+y2＝1、x2＞0、y2＞0；接触层，其由具有绝缘性的第三III族氮化物构成且与所述势垒层相邻，所述肖特基电极接合在所述接触层上。

专利地区：日本