柔性半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：柔性半导体装置及其制造方法

摘要：本发明提供一种能够减小在多层配线间产生的寄生电容，并增大半导体元件等中的电容器部的容量的柔性半导体装置及其制造方法。该柔性半导体装置具备形成半导体元件的绝缘膜，在该绝缘膜的上表面和下表面分别具有上部配线图案层和下部配线图案层，半导体元件包括在绝缘膜的上表面形成的半导体层、按照与半导体层相接触的方式形成于绝缘膜的上表面的源电极和漏电极、按照与半导体层相对置的方式形成于绝缘膜的下表面的栅电极，在绝缘膜中，使与源电极、漏电极、上部配线图案层以及下部配线图案层相对置的绝缘膜的第1膜厚比栅电极和半导体层间的绝缘膜的

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004076.6

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：一柳贵志;中谷诚一;平野浩一

主权项：一种柔性半导体装置，具备形成半导体元件的绝缘膜，在该绝缘膜的上表面和下表面分别具有上部配线图案层和下部配线图案层，该柔性半导体装置的特征在于，上述半导体元件包括：形成于上述绝缘膜的上表面的半导体层；按照与上述半导体层相接触的方式形成于上述绝缘膜的上表面的源电极和漏电极；按照与上述半导体层相对置的方式形成于上述绝缘膜的下表面的栅电极，上述栅电极的上表面比上述下部配线图案层的上表面更向上述半导体层侧突出，在上述绝缘膜中，与上述源电极、上述漏电极、上述上部配线图案层以及上述下部配线图案层相对置的绝缘膜的第1膜厚

专利地区：日本