非易失性存储装置专利登记公告

专利名称：非易失性存储装置

摘要：本发明包括：第一电极布线(151)，被形成为带状；第三层间绝缘层(16)；电阻变化层，被形成在覆盖存储单元孔(29)的底部及侧面的区域，且是由缺氧型过渡金属氧化物构成的第一电阻变化层(18a)、和由含氧率与所述第一电阻变化层(18a)不同的缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成的第二电阻变化层(18b)的层叠构造体；第一电极(19)，被形成在存储单元孔(29)的内部；以及第一布线(22)，在至少覆盖存储单元孔(29)的开口的区域，在与第一电极布线(151)交叉的方向上被形成为带状，在将所述过渡金属表示为M、将第一电

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004276.1

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：藤井觉;空田晴之;三河巧

主权项：一种非易失性存储装置，包括：第一电极布线，在衬底上被形成为带状；层间绝缘层，被形成在所述第一电极布线以及所述衬底上；存储单元孔，贯通所述层间绝缘层而到达所述第一电极布线；电阻变化层，在所述存储单元孔中，被形成在覆盖所述存储单元孔的底部以及侧面的区域；第一电极，在所述电阻变化层上，被形成在所述存储单元孔的内部；以及第一布线，在所述第一电极以及所述层间绝缘层上，在至少覆盖所述存储单元孔的开口的区域，在与所述第一电极布线交叉的方向上被形成为带状，所述电阻变化层为第一电阻变化层与第二电阻变化层的层叠构造体，所述第

专利地区：日本