存储器装置和半导体装置专利登记公告

专利名称：存储器装置和半导体装置

摘要：目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059846.2

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：盐野入丰;三宅博之;加藤清

主权项：?一种半导体装置，包括：第一线；第二线；第三线；第四线；以及存储器单元，包括第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管包括：第一栅电极；第一绝缘膜，在所述第一栅电极之上；第一半导体膜，在所述第一绝缘膜之上；第一源电极，与所述第一半导体膜电接触；第一漏电极，与所述第一半导体膜电接触；第二绝缘膜，在所述第一半导体膜、所述第一源电极和所述第一漏电极之上；以及第二栅电极，在所述第二绝缘膜之上，其中所述第二晶体管包括：第三栅电极；第三绝缘膜，在所述第三栅电极之上；第二半导体膜，在所述第三绝缘膜之上；第四绝缘膜，在所

专利地区：日本