半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明的目的之一是提供一种具有新的结构的半导体装置，其中，在数据存储时间中即使没有电力供给也能够存储存储内容并且对写入次数也没有限制。该半导体装置包括：包括第一源电极以及第一漏电极、与第一源电极以及第一漏电极电连接且使用氧化物半导体材料的第一沟道形成区域、第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层以及第一栅极绝缘层上的第一栅电极的第一晶体管。第一晶体管的第一源电极和第一漏电极之一与电容器的一个电极彼此电连接。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059046.0

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;加藤清

主权项：一种半导体装置，包括：晶体管，包括：源电极和漏电极；重叠于所述源电极和所述漏电极的氧化物半导体层；以及重叠于所述氧化物半导体层的栅极绝缘层，以及电容器，其中，所述晶体管的源电极和漏电极之一与所述电容器的一个电极彼此电连接。

专利地区：日本