半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：一个目标是提供其待机功率充分降低的新的半导体装置。该半导体装置包括第一电源端子、第二电源端子、使用氧化物半导体材料的开关晶体管、以及集成电路。第一电源端子电连接到开关晶体管的源极端子和漏极端子中的一个。开关晶体管的源极端子和漏极端子中的另一个电连接到集成电路的一个端子。集成电路的另一个端子电连接到第二电源端子。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056245.6

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平

主权项：?一种半导体装置，包括：第一电源端子；第二电源端子；开关晶体管，包括氧化物半导体材料；以及集成电路，包括第一端子和第二端子，其中所述第一电源端子电连接到所述开关晶体管的源极端子和漏极端子中的一个，其中所述开关晶体管的所述源极端子和所述漏极端子中的另一个电连接到所述集成电路的所述第一端子，以及其中所述集成电路的所述第二端子电连接到所述第二电源端子。

专利地区：日本