制造碳化硅半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：制造碳化硅半导体器件的方法

摘要：通过经由掩模层（31）中形成的第一开口进行离子注入，形成第一杂质区（123）。通过在上面已设置掩模层（31）的蚀刻停止层上沉积间隔层（32），形成具有掩模层（31）和间隔层（32）的掩模部（30）。通过对间隔层（32）进行各向异性蚀刻，在掩模部（30）中形成由第二侧壁围绕的第二开口（P2）。通过经由第二开口（P2）进行离子注入，形成第二杂质区（124）。在第二侧壁的与第二深度（D2）等高的高度（HT）内，第二侧壁相对于表面（SO）的角度（AW）为90°±10°。因此，可以提高杂质区延伸的精确度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005068.3

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：大井直树;盐见弘

主权项：一种制造碳化硅半导体器件的方法，所述方法包括以下各步骤：制备具有表面（SO）的碳化硅衬底（90）；在所述碳化硅衬底的所述表面上，形成蚀刻停止层（50）；在所述蚀刻停止层上，沉积掩模层（31）；在所述掩模层中，形成由第一侧壁（S1）围绕的第一开口（P1）；通过经由所述第一开口进行离子注入，在所述碳化硅衬底中，从所述表面至第一深度（D1）形成具有第一导电类型的第一杂质区（123）；在所述的形成第一杂质区的步骤之后，通过在上面已设置有所述掩模层的所述蚀刻停止层上沉积间隔层（32），来形成具有所述掩模层和所述间隔

专利地区：日本