穿硅过孔保护环专利登记公告

专利名称：穿硅过孔保护环

摘要：本发明涉及在微电子器件晶片（100）的刻道附近形成多个穿硅过孔保护环（130）。该微电子器件晶片（100）包括衬底（114），其中通过形成延伸完全穿过所述衬底（114）的过孔（132）来制造穿硅过孔保护环（130）。该穿硅过孔保护环（130）起到裂纹（124）抑制装置的作用，从而大体上减少或消除由微电子晶片的切割所导致的裂纹（124）引起的缺陷。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980162606.2

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：C·杨;J·钱;H·吴

主权项：一种微电子管芯，包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面以及设置在所述衬底的第一表面上的互连层，所述衬底包括在所述衬底的第一表面附近形成的集成电路；以及多个过孔，所述多个过孔在所述衬底的至少一个边缘附近并且从所述衬底的第一表面延伸到所述衬底的第二表面。

专利地区：美国