半导体用铜接合线及其接合结构专利登记公告

专利名称：半导体用铜接合线及其接合结构

摘要：本发明的目的是提供一种材料费便宜，与Al电极的接合部的长期可靠性优异，在车载用LSI用途中也能够应用的接合结构、以及半导体用铜接合线。形成将在铜接合线的尖端形成的球部与铝电极接合了的球接合部，所述的将在铜接合线的尖端形成的球部与铝电极接合了的球接合部，其特征在于，在将所述球接合部在130~200℃的任一温度下加热后，相对于在所述球接合部的截面中具有的由Cu和Al构成的金属间化合物的厚度，CuAl相的金属间化合物的厚度的比例即相对化合物比率R1为40%~100%。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005261.7

专利申请（专利权）人：新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司

专利发明（设计）人：宇野智裕;山田隆;池田敦夫

主权项：一种接合结构，是通过将在铜接合线的尖端形成的球部与铝电极接合了的球接合部来与半导体元件的电极连接的铜接合线的接合结构，其特征在于，在将所述球接合部在130~200℃的任一温度下加热后，所述球接合部的截面中，相对于由Cu和Al构成的金属间化合物的厚度，CuAl相的金属间化合物的厚度的比例即相对化合物比率R1为50%~100%。

专利地区：日本