半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005276.3

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平

主权项：一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的绝缘层；与所述氧化物半导体层和所述绝缘层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述氧化物半导体层的侧表面分别与所述源电极或所述漏电极接触，并且，在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极中的至少一个之间夹有所述绝缘层。

专利地区：日本