沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管专利登记公告

专利名称：沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要：一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管（TMOSFET），包括在多个栅极区之间沉积的多个台面。每个台面包括漂移区和体区。台面的宽度为在栅极绝缘区和体区之间接口处的量子阱尺寸的数量级。该TMOSFET还包括在栅极区与体区、漂移区和漏极区之间沉积的多个栅极绝缘区。在栅极区和漏极区之间的栅极绝缘区的厚度导致在关断状态下栅极到漏极电场基本为横向，这有助于耗尽漂移区中的电荷。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057177.5

专利申请（专利权）人：维西埃-硅化物公司

专利发明（设计）人：N.蒂皮尔内尼;D.N.帕塔纳雅克

主权项：一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管（TMOSFET），包括：漏极区；在所述漏极区上沉积的多个栅极区；在所述多个栅极区之间的台面中以及所述漏极区之上沉积的多个漂移区；在所述台面中、所述漂移区上方并与所述栅极区相邻沉积的多个体区；在所述台面中在所述体区上方沉积的多个源极区；在所述栅极区与所述源极区、体区、漂移区和漏极区之间沉积的多个栅极绝缘区；其中，所述台面的宽度为大致0.03至1.0微米（μm）；以及其中，在所述栅极区和所述漏极区之间的所述栅极绝缘区的厚度为大致0.1至4.0微米（μm）。

专利地区：美国