基于锗的量子阱器件专利登记公告

专利名称：基于锗的量子阱器件

摘要：一种量子阱晶体管具有锗量子阱沟道区。含硅的蚀刻停止层提供栅电介质接近沟道的容易放置。III-V族势垒层对沟道增加应变。沟道区之上和之下的缓变硅锗层改进了性能。多种栅电介质材料允许使用高k值栅电介质。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080060555.5

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：R·皮尔拉瑞斯帝;B-Y·金;B·楚-昆古;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利罗斯;M·拉多萨佛杰维科;R·科托尔亚;W·瑞驰梅迪;N·穆克赫吉;G·德威;R·乔

主权项：一种器件，包括：包括大带隙材料的下势垒区；在所述下势垒区上的包括锗的量子阱沟道区；在所述量子阱区上的包括大带隙材料的上势垒区；在所述量子阱沟道区上的间隔区；在所述间隔区上的蚀刻停止区，所述蚀刻停止区包括硅且基本上无锗；在所述蚀刻停止区上的栅电介质；在所述栅电介质上的栅电极。

专利地区：美国