一种增大芯片键合面积的方法专利登记公告

专利名称：一种增大芯片键合面积的方法

摘要：一种增大芯片键合面积的方法，采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。用这种方法进行晶圆片/硅片或晶圆片/晶圆片键合，键合后衬底片键合面积高达99.99％以上、无键合材料外溢、无空洞，键合强度高，键合率高达99％以上，其制得的衬底片不但键合区不存在污染层、多晶层、氧化层，而且提高后续工艺的成品率，降低生产成本。从而可使制得到的二极管发光器件性能得到大大的提高，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001591.5

专利申请（专利权）人：杨继远

专利发明（设计）人：杨继远

主权项：一种增大芯片键合面积的方法，其特征在于：采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。

专利地区：北京