一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法专利登记公告

专利名称：一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法

摘要：本发明公开的一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法，是在蒸发有金(Au)层的硅片上沉积铟(In)层，在沉积有反射镜层的外延片上蒸发金(Au)层，然后将两片相对(铟(In)层在中间)，放入键合机(bonding)中进行键合，可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。用这种方法进行外延片/硅片键合，键合区致密、无空洞，键合强度高，键合率高达98％以上。其制得的衬底片键合区不存在污染层、多晶层、氧化层。从而可使制得的二极管发光器件性能得到大大的提高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001593.4

专利申请（专利权）人：杨继远

专利发明（设计）人：杨继远

主权项：一种铟(In)进行外延片/硅片键合的方法，其特征在于：在蒸镀有反射镜层的外延片上蒸发金(Au)层，然后经过镜面抛光的硅片直接用溶液清洗甩干，在电子束蒸发台中蒸发一定厚度的金层和铟(In)层，然后两片相对铟(In)层在中间，放入键合机(bonding)中通过热压键合方法，将外延片与硅片键合在一起。

专利地区：北京