一种改善光性能的欧姆接触电极的制造方法专利登记公告
专利名称：一种改善光性能的欧姆接触电极的制造方法
摘要：本发明是一种用接触合金、光高透过率材料ITO及SiO2材料，在半导体材料(如：外延片)表面形成点状(dots)欧姆接触层的制备方法。此方法包括以下步骤：先在半导体材料(如：外延片)表面蒸发点状(dots)接触合金AuBe，经过光刻、蚀刻处理后进行热处理，使过渡金属氧化，随后再在表面蒸发ITO和SiO2，通过光刻、蚀刻技术工艺完成欧姆接触电极的制作。使用本发明可增大半导体器件的发光面积，提高外量子效率。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210001595.3
专利申请（专利权）人：杨继远
专利发明（设计）人：杨继远
主权项：一种改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于：在外延片表面蒸发薄层的AuBe合金，经过光刻、蚀刻工艺在外延层表面形成点状(dots)欧姆接触层。
专利地区：北京
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