一种LED芯片专利登记公告
专利名称:一种LED芯片
摘要:本发明涉及一种LED芯片,所述N型电极(22)为阶梯结构;所述N型电极(22)的下端穿过所述绝缘介质膜(13)与所述N型层(3)连接;所述N型电极(22)的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜(13)上;所述N型电极(22)的上端位于最上方绝缘介质膜(13)之上并且向P型电极(21)的位置延伸,所述N型电极(22)的上端与第二PCB板(23)连接,所述N型电极(22)的上端与P型电极(21)存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面。本发明由于把LED芯片的N型电极与N型电极设置相同高度的或近似高度的共同锡焊面,因
专利类型:发明专利
专利号:CN201210043026.5
专利申请(专利权)人:余丽
专利发明(设计)人:余丽
主权项:一种LED芯片,包括P型电极区(17)和N型电极区(18),所述P型电极区(17)从下至上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光反射层(9)以及绝缘介质膜(13),所述N型电极区(18)从下至上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)以及绝缘介质膜(13),P型电极(21)下端穿过所述绝缘介质膜(13)与光反射层(9)连接,P型电极(21)上端与第一PCB板(24)连接,所述衬底(1)由上凹孔
专利地区:江西
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