整面压合式倒装LED及其制备方法专利登记公告

专利名称：整面压合式倒装LED及其制备方法

摘要：本发明提供一种整面压合式倒装LED及其制备方法。该结构从下至上依次包括：LED芯片n型层，LED芯片多量子井发光层，LED芯片p型层，LED芯片p型层的上方为正电极，且在LED芯片多量子井发光层的一侧制备有负电极，正电极上覆盖有绝缘层，该绝缘层覆盖除了负电极和正电极的一小部分整个结构，留出正电极通孔，负电极通孔或者正负电极裸露出来一部分；在绝缘层上面有一层金属层，且金属层中间留出一条绝缘通道，使整个金属层分为两个区域，一个区域连接负电极，一个区域连接正电极，即LED的负电极与正电极连接到同一个金属层平面上

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069420.6

专利申请（专利权）人：北京工业大学

专利发明（设计）人：徐晨;许坤;张连璧

主权项：整面压合式倒装LED，其特征在于：从下至上依次包括：LED芯片n型层，LED芯片多量子井发光层，LED芯片p型层，LED芯片p型层的上方为正电极，且在LED芯片多量子井发光层的一侧制备有负电极，正电极上覆盖有绝缘层，该绝缘层覆盖除了负电极和正电极的一小部分整个结构，留出正电极通孔，负电极通孔或者正负电极裸露出来一部分；在绝缘层上面有一层金属层，且金属层中间留出一条绝缘通道，使整个金属层分为两个区域，一个区域连接负电极，一个区域连接正电极，即LED的负电极与正电极连接到同一个金属层平面上。

专利地区：北京