基于环形谐振腔的多波长半导体激光器专利登记公告

专利名称：基于环形谐振腔的多波长半导体激光器

摘要：本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导；环形脊波导与激活层组成环形谐振腔；环形脊波导为一个以上，各环形脊波导的周长互不相等；耦合波导与环形脊波导相邻设置。本发明结构简单紧凑，容易与其他器件集成；简化了工艺，降低了成本；避免了多个单纵模激光器有源层的叠加，减

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001596.8

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第十三研究所

专利发明（设计）人：齐利芳;李献杰;赵永林;蔡道民;尹顺政;过帆

主权项：一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，其特征在于自下而上依次包括衬底层（7）、缓冲层（6）、下包层（5）、激活层（4）、上包层（3）和欧姆接触层（2）；所述激光器上设有至少由欧姆接触层（2）与部分上包层（3）或全部上包层（3）共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导（10）以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导（9）；所述环形脊波导（10）与激活层（4）组成环形谐振腔；所述环形脊波导（10）为一个以上，各环形脊波导（10）的周长互不相等；所述耦合波导（9）与环形脊波导（10）相邻设置。

专利地区：河北