采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法专利登记公告

专利名称：采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法

摘要：一种采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，包括：采用低压MOCVD方法在硅衬底上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、下包层、第一下限制层和第一二氧化硅层；干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方法将第一二氧化硅层刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第二下限制层、下波导层、多量子阱有源区和上波导层；在上波导层和第一二氧化硅层上生长结合层、上限制层、第一上包层和光栅层；将光栅层刻成光栅；在刻成光栅后的光栅层上二次外延第二上包层和接触层；在第二上包层和接触层上刻出脊条；在刻出脊条的第二上包层和接触层及脊条的两侧生长第二二氧

专利类型：发明专利

专利号：CN201210032754.6

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：周旭亮;于红艳;潘教青;王圩

主权项：一种采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用低压MOCVD方法在硅衬底上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、下包层、第一下限制层和第一二氧化硅层；步骤2：采用全息曝光，干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方法将第一二氧化硅层刻蚀出沟槽；步骤3：采用MOCVD方法在沟槽中依次生长第二下限制层、下波导层、多量子阱有源区和上波导层；步骤4：采用MOCVD方法在上波导层和第一二氧化硅层上生长结合层、上限制层、第一上包层和光栅层；步骤5：采用全息曝光和湿法刻蚀将光栅层刻成光栅；步骤6：采用MO

专利地区：北京