一种氮化物半导体激光器专利登记公告

专利名称：一种氮化物半导体激光器

摘要：本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下InxGa1-xN渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源区，上InyGa1-yN渐变波导层，p-AlGaN电子阻挡层，p-AlGaN/GaN超晶格限制层，p-GaN接触层；所述下InxGa1-xN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1-yN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐减少。本发明的氮化物半导体激光器可以有效地减少上InGaN波导层与p-AlGaN电子阻挡

专利类型：发明专利

专利号：CN201210012561.4

专利申请（专利权）人：苏州纳睿光电有限公司

专利发明（设计）人：冯美鑫;张书明;刘建平;李增成;杨辉

主权项：一种氮化物半导体激光器，其特征在于，从下至上依次包括GaN衬底(1)，n?GaN层(2)，n?AlGaN/GaN超晶格限制层(3)，下InxGa1?xN渐变波导层(4b)，InGaN/GaN多量子阱有源区(5)，上InyGa1?yN渐变波导层(6b)，p?AlGaN电子阻挡层(7)，p?AlGaN/GaN超晶格限制层(8)，p?GaN接触层(9)；所述下InxGa1?xN渐变波导层(4b)中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1?yN渐变波导层(6b)中，从下至上In组分含量逐渐减少。

专利地区：江苏