纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法

摘要：纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材。；利用激光脉冲沉积方法，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210002294.2

专利申请（专利权）人：北京工业大学

专利发明（设计）人：王如志;曲铭浩;严辉;张铭;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩

主权项：纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3粉体，其中Bi2O3粉体摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3粉体摩尔分数为0.5～5％，然后球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃?1300℃煅烧20?24h，制成陶瓷靶材；(2)采用步骤(1)制成的Y2O3:Bi，Yb陶瓷靶材，利用激光脉冲沉积方法，制备薄膜材料：以硅片为衬底，通入O

专利地区：北京