通过三氧化锰表面掺杂制备p-CdS纳米线及p-CdS/n-Si纳米p-n结的方法专利登记公告
专利名称：通过三氧化锰表面掺杂制备p-CdS纳米线及p-CdS/n-Si纳米p-n结的方法
摘要：本发明涉及一种通过MoO3表面掺杂制备p-CdS纳米线及p-CdS/n-Si纳米p-n结的方法，其特征首先是在本征CdS纳米线上包裹一层厚度为5～150nm的MoO3层，随后在100～300℃的温度中退火处理10～30分钟得到p-CdS纳米线；以及对n+型硅衬底上的二氧化硅层表面进行光刻、刻蚀，得到只有部分区域被二氧化硅层覆盖着的n+型硅衬底，然后把本征CdS纳米线分散在n+型硅衬底上，使得有本征纳米线一端搭在二氧化硅上，另一端搭n+型硅衬底上，接着在二氧化硅层上制备金属电极，随后在n+型硅衬底上覆盖Mo
专利类型：发明专利
专利号：CN201210005643.6
专利申请（专利权）人：合肥工业大学
专利发明（设计）人：罗林保;李方泽;揭建胜;李强;朱志峰
主权项：一种通过MoO3表面掺杂制备p?CdS纳米线的方法，其特征是：首先合成本征CdS纳米线，然后在所述本征CdS纳米线上包裹一层厚度为5～150nm的MoO3层，随后在100～300℃的温度中退火处理10～30分钟得到p?CdS纳米线。
专利地区：安徽
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