一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法专利登记公告

专利名称：一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法

摘要：一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法，它有五大步骤：一、采用湿化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，获得金字塔状的绒面硅片衬底；二、采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极；三：采用等离子体增强化学气相沉积法，通入硅烷SiH4制备I层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH4和磷烷PH3混合气体制备N层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH4和硼烷B2H5混合气体制备P层纳米硅薄膜；四、在步骤三沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭园偏振光实时监控薄膜的生长；五、采用热蒸发方法或磁控溅射方法或丝网印刷技术制备纳

专利类型：发明专利

专利号：CN201210006271.9

专利申请（专利权）人：北京航空航天大学

专利发明（设计）人：张维佳;刘嘉;马强;孙月峰;张冷;吴然嵩

主权项：一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤一：采用湿化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，获得金字塔状的绒面硅片衬底；步骤二：采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极；步骤三：采用PECVD法即等离子体增强化学气相沉积法，通入硅烷SiH4制备I层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH4和磷烷PH3混合气体制备N层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH4和硼烷B2H5混合气体制备P层纳米硅薄膜；步骤四：在步骤三沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭园偏振光实时监控薄膜生长的过程；

专利地区：北京