N型背接触太阳电池生产工艺专利登记公告

专利名称：N型背接触太阳电池生产工艺

摘要：本发明涉及一种N型背接触太阳电池生产工艺，步骤如下：硅基体制绒使向光面具有绒面；对硅基体氧化；在硅基体背光面制作扩散窗口；选择性硼源热扩散，裸露的硅被硼掺杂形成PN结；去除氧化层及杂质；对硅基体再次氧化；采用硅基体向光面镀减反射膜；金属电极浆料丝网印刷；烧结得到金属电极，完成电池片的制作。本发明构思奇巧，与常规工业化电池生产线兼容，易于工业化制作；同时相对常规太阳电池，本发明省去了费用较高的刻蚀步骤，而且金属电极丝网印刷由常规太阳电池的三步金属电极丝网印刷变成一步丝网印刷。本发明将在光伏领域得到广泛的应用

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013476.X

专利申请（专利权）人：杨正刚

专利发明（设计）人：杨正刚

主权项：?N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于包括如下步骤：第一步、对N型硅基体制绒，使硅基体的向光面得到具有陷光作用的绒面陷光结构；第二步、对制绒后的硅基体表面进行氧化，使硅基体表面生成二氧化硅氧化层；第三步、除去硅基体背光面与正电极图案相符的二氧化硅形成扩散窗口；第四步、对硅基体进行硼源热扩散，使扩散窗口内的硅被硼掺杂形成P?N结；第五步、去除硅基体表面剩余的二氧化硅氧化层以及其他杂质；第六步、对制作好P?N结的硅基体进行氧化，使硅基体表面生成二氧化硅膜；第六步、在硅基体的向光面镀上减反射膜；第七步、在硅基

专利地区：江苏