去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法专利登记公告

专利名称：去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法

摘要：本发明提供了一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，包括步骤在硅片的第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜；在硅片第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿第一表面至第二表面的过料孔；在硅片上与指定位置相对的第一指定区域由第二激光去除第一预设深度的硅层；对去硅层后的硅片进行印刷、烧结工序，形成MWT太阳能电池片。通过在硅片的第一表面和第二表面形成SiNX膜，有激光生成打料孔和去除背场上硅层的工作，实现了对背场的去除，同时生成打料孔和去除背场的工艺过程均通过激光来实现，简化了

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018071.5

专利申请（专利权）人：英利能源（中国）有限公司

专利发明（设计）人：王子谦;赵文超;陈迎乐;王建明;陈剑辉;沈燕龙;李高非;胡志岩;熊景峰

主权项：一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，其特征在于，包括步骤：1)在所述硅片的所述第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜，获得带膜结构的硅片；2)在带膜结构所述硅片的第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿所述第一表面至所述第二表面的过料孔，获得打孔后的硅片；3)由第二激光去除与所述指定位置相对的第一指定区域内第一预设深度的硅层，获得去硅层后的硅片；4)对去硅层后的所述硅片进行丝网印刷、烧结，形成MWT太阳能电池片。

专利地区：河北