垂直晶体管制造方法和垂直晶体管专利登记公告

专利名称：垂直晶体管制造方法和垂直晶体管

摘要：本发明公开了一种制造垂直晶体管的方法。所述方法包括：提供包括垂直区域叠层的衬底(100)，所述垂直区域叠层包括通过沟道区(104)与漏极区(102)分离的源极区(106)；在所述衬底中形成沟槽(110)，所述沟槽至少部分地延伸到所述垂直区域叠层中；将所述叠层内衬于所述沟槽，所述叠层包括栅极电介质衬里(112)、刻蚀保护层(114)和另一绝缘层(116)；用屏蔽电极材料(118)填充沟槽的其余部分；通过在所述沟槽中将所述另一绝缘层(116)去除到第一深度来暴露出屏蔽电极材料的顶部部分；在暴露出的屏蔽电极材料

专利类型：发明专利

专利号：CN201210004621.8

专利申请（专利权）人：NXP股份有限公司

专利发明（设计）人：金明豪;戴维·威廉·卡尔顿;尼克·克肖;克里斯·罗杰斯

主权项：一种制造垂直晶体管的方法，所述垂直晶体管包括具有垂直区域叠层的衬底(100)，所述垂直区域叠层包括通过沟道区(104)与漏极区(102)分离的源极区(106)，所述方法包括：在所述衬底中形成沟槽(110)，所述沟槽至少部分地延伸到所述垂直区域叠层中；将叠层内衬于所述沟槽，所述叠层包括栅极电介质(112)、刻蚀保护层(114)和另一绝缘层(116)；用屏蔽电极材料(118)填充沟槽的其余部分；通过在所述沟槽中将所述另一绝缘层(116)去除到第一深度来暴露出屏蔽电极材料的顶部部分；在暴露出的屏蔽电极材料上形成

专利地区：荷兰