一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法专利登记公告

专利名称：一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法

摘要：本发明公开了一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其中，包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；对源漏极上方的侧墙薄膜进行与竖直方向形成一定角度的离子注入；对侧墙薄膜进行刻蚀，在半导体器件的栅极上形成侧墙，调节侧墙刻蚀菜单以使得刻蚀后的侧墙源极的宽度减小，漏极的宽度增大；进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在保持沟道有效长度不变的情况下，降低了漏端的纵向电场强度，从而减小了半导体器件栅致漏极泄漏电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047390.9

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；对源漏极上方的侧墙薄膜从朝向于源极的入射点进行与竖直方向形成一定角度的离子注入；对侧墙薄膜进行刻蚀，在半导体器件的栅极上形成侧墙，调节侧墙刻蚀菜单以使得刻蚀后的侧墙源极的宽度减小，漏极的宽度增大；进行源漏重掺杂以及退火工艺。

专利地区：上海