在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法专利登记公告

专利名称：在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法

摘要：一种在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法，包括如下步骤：取一碳化硅半导体薄膜，该碳化硅半导体薄膜包括衬底和外延层；在碳化硅半导体外延层上生长一层硅薄膜；在硅薄膜上采用光刻技术获得图形；在图形化的硅薄膜的两侧进行离子注入，形成P阱或者N阱，注入的深度小于碳化硅半导体外延层的厚度，形成样品；对样品进行氧化，形成氧化层，使图形化的硅薄膜的两侧加宽；对氧化后的样品、图形化的硅薄膜的两侧再进行离子注入，形成N+或P+源区，注入的深度小于所述形成的P阱或者N阱的注入深度，该第一次离子注入后的P阱或者N阱的宽度大

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057866.7

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：郑柳;孙国胜;刘兴昉;张峰;王雷;赵万顺;闫果果;董林;刘胜北;刘斌;曾一平

主权项：一种在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法，包括如下步骤：步骤1：取一碳化硅半导体薄膜，该碳化硅半导体薄膜包括衬底和外延层；步骤2：在碳化硅半导体外延层上生长一层硅薄膜；步骤3：在硅薄膜上采用光刻技术获得图形；步骤4：在图形化的硅薄膜的两侧进行离子注入，形成P阱或者N阱，注入的深度小于碳化硅半导体外延层的厚度，形成样品；步骤5：对样品进行氧化，形成氧化层，使图形化的硅薄膜的两侧加宽；步骤6：对氧化后的样品、图形化的硅薄膜的两侧再进行离子注入，形成N+或P+源区，注入的深度小于步骤4形成的P阱或者N阱的

专利地区：北京