绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法专利登记公告

专利名称：绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法

摘要：本发明公开了一种绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法，包括：在GeOI材料的Ge面涂上光刻胶，并进行光刻；光刻之后进行坚膜，然后刻蚀掉部分Ge及对应的绝缘层；去除光刻胶，然后外延生长一层Si膜；去除Ge表面生长的Si膜；后续处理，得到绝缘体上锗硅混合型衬底。利用本发明，能够制备出高质量的锗硅混合型衬底，利于发挥出Ge基pMOS和{001}Si基nMOS各自载流子迁移率高、晶体管性能好的优势；同时利于新型材料结构集成，利于新型器件电路集成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210067246.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：张轩雄;杨帆

主权项：一种绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：在GeOI材料的Ge面涂上光刻胶，并进行光刻；步骤2：光刻之后进行坚膜，然后刻蚀掉部分Ge及对应的绝缘层；步骤3：去除光刻胶，然后外延生长一层Si膜；步骤4：去除Ge表面生长的Si膜；步骤5：后续处理，得到绝缘体上锗硅混合型衬底。

专利地区：北京