一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法专利登记公告

专利名称：一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法

摘要：本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。本发明采用金属掩膜，实现光刻胶与碳基材料的隔离，最大程度的减小残余光刻胶对碳基材料与金属接触的影响，从而有效的增加了碳基FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210075810.4

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：金智;陈娇;麻芃;王显泰;潘洪亮;郭建楠;彭松昂

主权项：一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。

专利地区：北京