一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法

摘要：本发明提供一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多P岛N沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的N型漂移区，位于所述N型漂移区一侧的P型体区，以及位于所述N型漂移区另一侧上的N型漏区，其中，所述N型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状P区，且各该岛状P区由N型源区朝N型漏区方向线性变小，由于在高压下衬底辅助耗尽效应作用从源端到漏端依次增强，因此岛状P区相应地从源端到漏端方向上由大变小，以实现和衬底辅助耗尽效应作用互补抵消，最终达到电荷平衡的目的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210076796.X

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：程新红;王中健;徐大伟;夏超;曹铎;贾婷婷;宋朝瑞;俞跃辉

主权项：一种内嵌多P岛N沟道超结器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，通过N型离子注入在所述半导体衬底上制备一层N型漂移区；提供一开设有多组平行排列的离子注入窗口的掩模板，所述多组离子注入窗口从所述掩模板的一侧趋向另一侧依次减小；2)向所述N型漂移区中注入硼离子并藉由所述掩模板的遮挡以控制硼离子的浓度分布；3)将所述半导体衬底退火，以在所述N型漂移区中形成互相间隔且平行排列的多个岛状P区，且各该岛状P区由其一端朝向另一端线性变小；4)在所述N型漂移区上且临近所述岛状P区的

专利地区：上海