一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法专利登记公告

专利名称：一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法

摘要：本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实现自对准。由于该方法实现了源电极和漏电极与栅电极的自对准，极大减小栅电极与源漏的寄生电容，因而能提高薄膜晶体管电路的驱动能力。而该制备方法的改进在于，背曝光的同时使光线通过源电极和漏电极的掩膜版，光刻之后结合剥离工艺即可一次形成源电极和漏电极的区域。整个流程只需三步光刻，节省了一步光刻工艺

专利类型：发明专利

专利号：CN201210050309.2

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：王漪;王亮亮;韩德栋;蔡剑;王薇;耿友峰;任奕成;张盛东;刘晓彦;康晋锋

主权项：一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：(1)在玻璃衬底上生长一层非透明导电薄膜，然后光刻和刻蚀形成栅电极；(2)溅射形成一层栅介质层，在溅射台内退火处理；(3)接着溅射生长一层氧化锌或其掺杂的有源层，在溅射台内退火处理；(4)光刻和刻蚀形成有源区；(5)刻蚀有源区下面的栅介质层；(6)甩一层光刻胶，利用外加源电极和漏电极的掩膜版与不透光的栅电极相结合，底部曝光，然后光刻显影去除将要形成源电极和漏电极的区域的光刻胶；(7)溅射生长一层金属导电薄膜，去除光刻胶，剥离形成源电极和漏电极。

专利地区：北京