太阳能电池和制造该太阳能电池的方法专利登记公告

专利名称：太阳能电池和制造该太阳能电池的方法

摘要：本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210004842.5

专利申请（专利权）人：LG电子株式会社

专利发明（设计）人：辛明俊;金圣辰;郑柱和;梁荣成;权泰瑛;李满;郭桂荣;李圣恩

主权项：一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，所述发射极区域位于所述基板处，所述发射极区域具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，所述第一重掺杂区域位于所述基板处，所述第一重掺杂区域具有小于所述第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，所述多个第一电极位于所述基板上，与所述第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到所述第一重掺杂区域的所述至少一部分；以及至少一个第二电极，所述至少一个第二电极位于所述基板上并且连接到所述基板，其中所述第一重掺杂区域具有下述结

专利地区：韩国