一种硅基薄膜太阳能电池专利登记公告

专利名称：一种硅基薄膜太阳能电池

摘要：本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶体硅基体，P型晶体硅基体正面生长有2～5nm的SiO2层，P型晶体硅基体背面生长有2～5nm的Al2O3层，SiO2层正面依次生长有厚度为5±2nm的第一nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(n+)层、厚度为5±2nm的第二nc-Si:H(i)层，Al2O3层背面依次生长有厚度为5±2nm的第三nc-Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a-Si:H(p+)、厚度为5±2nm的第四nc-Si:H(i)层。本发明能解决较多薄

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047083.0

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：余冬冬;董科研;崔艳峰;陆中丹

主权项：一种硅基薄膜太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶体硅基体，其特征在于：所述的P型晶体硅基体正面生长有2～5nm的SiO2层，所述的P型晶体硅基体背面生长有2～5nm的Al2O3层，所述的SiO2层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的Al2O3层与P型晶体硅基体通过激光打孔形成点接触，所述的SiO2层正面依次生长有厚度为5±2nm的第一nc?Si:H(i)层、厚度为10±3nm的a?Si:H(n+)层、厚度为5±2nm的第二nc?Si:H(i)层，所述的Al2O3层背面依次生长有厚度为5±2

专利地区：江苏