电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底专利登记公告

专利名称：电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底

摘要：在工序(S103)中，在n型GaN衬底(11)上生长氮化镓基半导体层(13)。在工序(S104)中，在室温下测定包含黄带波长带的波长区域及包含与氮化镓基半导体层的带边对应的带边波长的波长区域的PL光谱。在工序(S106)中，通过将黄带波长带和带边波长的光致发光光谱强度与基准值比较而挑选外延衬底，制作已经挑选的外延衬底(E1)。在工序(S107)中，在已经挑选的外延衬底(13)上形成用于电子器件的电极(15)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210005625.8

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：斋藤雄

主权项：一种III族氮化物半导体元件，其具有肖特基结，其特征在于，具备：具有导电性的III族氮化物支撑基体；在室温下使用波长325nm的He?Cd激光器在光斑径的直径0.5mm以及功率1.2mW的激发光的条件下测定光致发光光谱时的黄带波长带的光致发光光谱强度IY与带边波长的光谱强度IBE的强度比IY/IBE为0.05以下、且设置在所述III族氮化物支撑基体的主面上的氮化镓区域；和在所述氮化镓区域中形成肖特基结的肖特基电极。

专利地区：日本