用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法专利登记公告

专利名称：用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法

摘要：本发明公开了一种用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，首先将待测电小尺寸散射体6摆放在GTEM小室的特制非金属转台5上；GTEM小室的前端口4与矢量网络分析仪7连接；通过矢量网络分析仪得到GTEM小室前端口返回电压和入射电压和比值；最后通过本方法提出的公式计算出散射体的反向散射截面。本方法操作简单，成本低廉。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210007525.9

专利申请（专利权）人：北京邮电大学

专利发明（设计）人：李书芳;洪卫军;陈志雨;邢曙光;刘晓阳;王明阳;陈乔

主权项：一种用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，其特征在于，包括步骤：A.连接GTEM小室前端口和矢量网络分析仪；B.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在没有放置待测散射体时的S11值；C.将待测散射体摆放在GTEM小室中的特制非金属转台上；D.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在放置待测散射体时的S′11值；E.用本方法所提出的公式1计算出此待测电小尺寸散射体的反向散射截面。

专利地区：北京