在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法专利登记公告

专利名称：在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法

摘要：本发明公开了在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC异质外延薄膜的生长，生长气源为C3H8和SiH4，然后将3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜，再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min生成双层石墨烯。本发明具有双层石墨烯面积大，表面光滑，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210007685.3

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民

主权项：一种在3C?SiC衬底上制备石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)对4?12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；(2)将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10?7mbar级别；(3)在H2保护的情况下逐步升温至碳化温度950℃?1150℃，通入流量为30ml/min的C3H8，对衬底进行碳化3?7min，生长一层碳化层；(4)迅速升温至生长温度1150℃?1300℃，通入C3H8和SiH4，进行3C?SiC异质外延薄膜的生长，时间为36?60min，然后在H2保护下逐步降温至室温，完成

专利地区：陕西