一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法

摘要：本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括：衬底；P型氧化亚铜纳米线阵列，该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上；绝缘层，该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面；N型层，该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜；N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型层上；P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积，减小载流子的扩散距离，PIN结构可有效增大耗尽层宽度，大大提高载流子的分离和收集效率，从而提高太阳能电池的能

专利类型：发明专利

专利号：CN201210007730.5

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：朱丽萍;杨美佳

主权项：一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池，其特征在于，包括如下结构：衬底(1)；生长在衬底(1)上的P型氧化亚铜纳米线阵列(2)；沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)表面的绝缘层(3)；填充于绝缘层(3)外的N型层(4)；生长于N型层(4)上的N型欧姆电极(5)；生长在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)上的P型欧姆电极(6)。

专利地区：浙江