叠层硅基异质结太阳能电池专利登记公告

专利名称：叠层硅基异质结太阳能电池

摘要：本发明涉及一种叠层硅基异质结太阳能电池，具有c-Si(p)基体，c-Si(p)基体正面沉积有nc-Si:H(i)层，nc-Si:H层正面沉积有a-Si:H(n+)层，nc-Si:H层的厚度为3～5nm，a-Si:H(n+)层的厚度为10～15nm，c-Si(p)基体背面沉积有a-Si:H(i)层，a-Si:H(i)层背面沉积有nc-Si(p+)层，a-Si:H(i)层的厚度为3～5nm，nc-Si(p+)层的厚度为10～15nm。本发明减弱了非晶硅的光致衰减效应，改变了晶体硅与非晶硅之间的带隙突变结构，以

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047084.5

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：董科研;余冬冬

主权项：一种叠层硅基异质结太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有c?Si(p)基体，其特征在于：所述的c?Si(p)基体正面沉积有nc?Si:H(i)层，所述的nc?Si:H(i)层正面沉积有a?Si:H(n+)层，所述的nc?Si:H(i)层的厚度为3～5nm，所述的a?Si:H(n+)层的厚度为10～15nm，所述的c?Si(p)基体背面沉积有a?Si:H(i)层，所述的a?Si:H(i)层背面沉积有nc?Si(p+)层，所述的a?Si:H(i)层的厚度为3～5nm，所述的nc?Si(p+)层的厚度为10～15

专利地区：江苏