薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池专利登记公告

专利名称：薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池

摘要：本发明涉及一种薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶硅层。本发明可以减少非晶硅

专利类型：发明专利

专利号：CN201210041796.6

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：包健

主权项：一种薄膜非晶硅?N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，其特征在于：所述的N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，所述的背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，所述的N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，所述的正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶

专利地区：江苏