半导体装置和用于制造半导体装置的方法专利登记公告

专利名称：半导体装置和用于制造半导体装置的方法

摘要：本发明涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。一种半导体基板，包括从第一表面向第二表面延伸的通孔。充当通孔的底部的电极焊盘层被设置在第二表面上。绝缘层被形成在半导体基板的第一表面和通孔的侧壁上。金属层被形成在半导体基板的第一表面和通孔的侧壁上，其中，绝缘层介于其间并直接在通孔的底部上形成。在通孔的侧壁上形成倾斜表面，使得通孔的底部具有比通孔的开口端的开口尺寸小的开口尺寸。倾斜表面具有凹凸部。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210008254.9

专利申请（专利权）人：佳能株式会社

专利发明（设计）人：须藤正法

主权项：一种半导体装置，包括：半导体基板，具有从半导体基板的第一表面向半导体基板的第二表面延伸的通孔；电极焊盘层，被设置在半导体基板的第二表面上，所述电极焊盘层充当所述通孔的底部；绝缘层，被设置在半导体基板的第一表面上和在所述通孔的侧壁上；以及金属层，被设置在所述绝缘层上和在所述通孔的底部上，其中，所述通孔的侧壁具有倾斜表面，使得所述通孔的底部具有比所述通孔的开口端的开口尺寸小的开口尺寸，并且，所述倾斜表面具有凹凸部。

专利地区：日本