一种在硅片表面制备石墨烯复合薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种在硅片表面制备石墨烯复合薄膜的方法

摘要：本发明涉及一种在硅片表面制备石墨烯复合薄膜的方法，先对制作好PN结的硅片进行表面处理，将其作为基底材料，在其表面采用自组装法制备氨基硅烷，然后将基片放入氧化石墨烯分散液中，在其表面制备氧化石墨烯复合薄膜。与现有技术相比，本发明工艺简单，成本低，可以提高太阳能电池片的光电性能，有望成为光伏产业理想的光电转换材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210009144.4

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：程先华;雷子恒;王传英;程海正;疏达

主权项：一种在硅片表面制备石墨烯复合薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)首先将硅片浸泡在王水中加热5～6小时，在室温中自然冷却后取出，冲洗、干燥后浸于体积比为H2SO4∶H2O2＝70∶30的溶液中，于室温下处理1小时，用去离子水超声清洗后放在防尘装置内在烘箱中干燥，然后将处理后的硅片浸入氨基硅烷浓度为0.1～1.0mmol/L的乙醇溶液中，超声3分钟，静置水解0.5～1h取出，用无水乙醇、去离子水洗涤，并在N2下干燥；将所得硅片置于烘箱内90℃保温处理90min，然后浸入三氯氧化磷溶液中，反应2h

专利地区：上海