半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种用于制造半导体器件的方法和一种半导体器件。该方法包括：在基板中形成沟槽，利用第一半导体材料部分地填充沟槽，沿第一半导体材料的表面形成界面，以及利用第二半导体材料填充沟槽。该半导体器件包括沿沟槽的侧壁布置的第一电极和布置在第一电极上的电介质。该半导体器件进一步包括至少部分地填充沟槽的第二电极，其中第二电极包括第二电极内的界面。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210009547.9

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：W.莱纳特;M.迈耶;S.庞普尔;M.斯塔特米勒

主权项：一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板中形成沟槽；利用第一半导体材料部分地填充所述沟槽；沿所述第一半导体材料的表面形成界面；以及利用第二半导体材料填充所述沟槽。

专利地区：德国