基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法专利登记公告

专利名称：基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法

摘要：本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管，在800-1100℃下SiC与气态CCl4反应，生成双层碳膜；然后再将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min生成双层石墨烯；最后将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。本发明具有工艺简单，安全性

专利类型：发明专利

专利号：CN201210009958.8

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民

主权项：一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，包括以下步骤：(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至800?1000℃；(3)对装有CCl4液体的三口烧瓶加热至60?80℃，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中与SiC反应30?120min，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中在温度为900?1100℃下退火15?25分钟，使双层碳膜重构成双层石墨烯，再将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。

专利地区：陕西