基于Ni膜辅助退火和Cl₂反应的大面积石墨烯制备方法专利登记公告

专利名称：基于Ni膜辅助退火和Cl₂反应的大面积石墨烯制备方法

摘要：本发明公开了一种基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。(1)在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为1200℃-1300℃下利用气源C3H8和SiH4生长3C-SiC外延薄膜；(3)将3C-SiC在700-1100℃下与Cl2反应，生成碳膜；(4)在Si基体上电子束沉积300-500nm厚的Ni膜；(5)将生成的碳膜样片的碳面置于Ni膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-3

专利类型：发明专利

专利号：CN201210009959.2

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民

主权项：一种基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：(1)对4?12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；(2)将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10?7mbar级别；(3)在H2保护的情况下逐步升温至碳化温度900℃?1200℃，通入流量为30sccm的C3H8，对衬底进行碳化5?10min，生长一层碳化层；(4)迅速升温至生长温度1200℃?1300℃，通入C3H8和SiH4，进行3C?SiC异质外延薄膜的生长，时间为30?60min，然

专利地区：陕西