圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构专利登记公告

专利名称：圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构

摘要：本发明涉及一种圆片级应力缓冲结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3)，在应力缓冲介质上制作焊球(4)。其特征在于：在凹槽(2)内填充应力缓冲介质(3)。本发明的特点是改变传统应力缓冲层的缓冲介质的位置，将缓冲介质制作到硅基芯片里面，从而能起到缓冲应力的作用，而不增加封装结构厚度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210011301.5

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：宁文果;罗乐;徐高卫

主权项：一种圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构，包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3)，在应力缓冲介质上制作焊球(4)。

专利地区：上海